工業(yè)電源，消費類(lèi)電源不同拓撲結構有各自的優(yōu)勢和缺點(diǎn)，適合的場(chǎng)景也各有不同，設計時(shí)需要根據實(shí)際的應用需求、功率等級和成本等因素來(lái)選擇合適的拓撲。
2024-09-26在OBC的拓撲結構中，IGBT主要用于PFC電路和DC-DC轉換電路，IGBT在車(chē)載OBC產(chǎn)品中的核心作用是實(shí)現高效的電能轉換，提升功率密度，并在高壓高頻工作環(huán)境下保持高可靠性。
2024-09-26碳化硅內絕緣封裝結構是通過(guò)多層絕緣、導熱、和保護結構的集成，確保SiC器件在高壓、高溫、高功率條件下穩定運行。通過(guò)選擇合適的材料和封裝設計，可以最大程度地發(fā)揮碳化硅的高性能優(yōu)勢，使其廣泛應用于電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)電力..
2024-09-24中國大陸的超結MOSFET市場(chǎng)有多家廠(chǎng)商參與，各品牌在技術(shù)能力、產(chǎn)品應用領(lǐng)域和市場(chǎng)定位上各具特色。華潤微、士蘭微等品牌在國內市場(chǎng)具備廣泛的影響力，具有成熟的產(chǎn)品線(xiàn)，而揚杰科技、聞泰科技等在特定應用領(lǐng)域也有其獨特..
2024-09-24碳化硅二極管的制備方法，SiC二極管具有高耐壓、低導通損耗、高溫穩定性等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應用于電力電子器件中。其制備過(guò)程主要涉及碳化硅材料的生長(cháng)、摻雜、圖形化工藝、金屬化等步驟。
2024-09-24IGBT工作原理介紹-將MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)結合在一起，在高效能電力電子應用中實(shí)現了高電流開(kāi)關(guān)和低損耗操作。
2024-09-18國產(chǎn)溝槽型碳化硅MOSFET正式問(wèn)世,此次碳化硅溝槽型MOSFET芯片制造技術(shù)的突破不僅填補了我國在該領(lǐng)域的技術(shù)空白，更為相關(guān)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)巨大的經(jīng)濟效益和技術(shù)提升。
2024-09-09東莞市美瑞電子有限公司，超結MOS（Super Junction MOSFET）產(chǎn)品中的099內阻與070，038內阻型號已實(shí)現大量出貨，標志著(zhù)美瑞在大功率半導體領(lǐng)域的夯實(shí)一步。
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