產(chǎn)品選型報價(jià)送樣請電話(huà)聯(lián)系
聯(lián)系人：曾先生 153-3800-0102
HCS65R210S是一款650V N通道超級結MOSFET，具有以下特點(diǎn)：
認證：符合RoHS指令、CE、ISO、CCC標準。
制造商：semihow，代理銷(xiāo)售：東莞美瑞電子有限公司，成立于2013年，專(zhuān)注于半導體分立器件的銷(xiāo)售和技術(shù)服務(wù)。
最大漏極電壓：650V。
額定柵源電壓：±20V。
極低導通電阻（FOM）：RDS(ON) × Qg值非常低，這意味著(zhù)在導通狀態(tài)下具有非常低的能量損耗。
低開(kāi)關(guān)損失：在開(kāi)關(guān)操作時(shí)能量損耗較小，提高了能效。
優(yōu)異的穩定性和均一性：確保長(cháng)時(shí)間穩定工作，且性能一致性良好。
100%的雪崩測試：通過(guò)了嚴格的雪崩測試，增強了器件的安全性。
內置ESD二極管：內置的ESD二極管可以有效保護電路免受靜電放電的影響。
HCS65R210S因其出色的性能，被廣泛應用于以下領(lǐng)域：
LED驅動(dòng)電源
醫療電源
SemiHow公司擁有在三星功率半導體工作超過(guò)10年的研發(fā)團隊，HCS65R210S不僅具備優(yōu)異的技術(shù)參數，還擁有可靠的質(zhì)量保證和廣泛的應用領(lǐng)域，是一款值得考慮的高性能MOSFET產(chǎn)品。
HCS65R210S是一款650V N通道超級結MOSFET，具有以下特點(diǎn)：
認證：符合RoHS指令、CE、ISO、CCC標準。
制造商：semihow，代理銷(xiāo)售：東莞美瑞電子有限公司，成立于2013年，專(zhuān)注于半導體分立器件的銷(xiāo)售和技術(shù)服務(wù)。
最大漏極電壓：650V。
額定柵源電壓：±20V。
極低導通電阻（FOM）：RDS(ON) × Qg值非常低，這意味著(zhù)在導通狀態(tài)下具有非常低的能量損耗。
低開(kāi)關(guān)損失：在開(kāi)關(guān)操作時(shí)能量損耗較小，提高了能效。
優(yōu)異的穩定性和均一性：確保長(cháng)時(shí)間穩定工作，且性能一致性良好。
100%的雪崩測試：通過(guò)了嚴格的雪崩測試，增強了器件的安全性。
內置ESD二極管：內置的ESD二極管可以有效保護電路免受靜電放電的影響。
HCS65R210S因其出色的性能，被廣泛應用于以下領(lǐng)域：
LED驅動(dòng)電源
醫療電源
Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
網(wǎng)址：wap.soso118.cn
總部地址:廣東省東莞市萬(wàn)江街道華爾泰路2號五盈科技園5棟3樓
經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品：碳化硅器件、IGBT單管、IGBT模塊、肖特基/整流橋堆、低壓MOS、超結MOS管
版權所有：Copyright ? 2019 東莞市美瑞電子有限公司 粵ICP備19137317號版權所有 模仿必究
