80V低內阻MOS 綠星DG80N02HQ DFN5*6
顛覆業(yè)界傳統的低壓MOS制程，大幅降低RDS內阻切換損失。
臺灣綠星低壓MOS產(chǎn)品融入DG-FET深溝槽創(chuàng )新技術(shù)，將內阻值死磕到底，肉眼可見(jiàn)的出類(lèi)拔萃。
美瑞電子致力于推動(dòng)品質(zhì)專(zhuān)線(xiàn)邁入普惠時(shí)代，帶入千行百業(yè)。
80V低內阻MOS綠星DG80N02HQDFN5*6顛覆業(yè)界傳統的低壓MOS制程，大幅降低RDS內阻切換損失。臺灣綠星低壓MOS產(chǎn)品融入DG-FET深溝槽創(chuàng )新技術(shù)，將內阻值死磕到底，肉眼可見(jiàn)的出類(lèi)拔萃。美瑞電子致力于推動(dòng)品質(zhì)專(zhuān)線(xiàn)邁入普惠時(shí)代，帶入千行百業(yè)。
80V低內阻MOS 綠星DG80N02HQ DFN5*6
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臺灣綠星低壓MOS產(chǎn)品融入DG-FET深溝槽創(chuàng )新技術(shù)，將內阻值死磕到底，肉眼可見(jiàn)的出類(lèi)拔萃。
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