以下是根據您提供的資料整理的上海維安半導體公司超級結MOS封裝與晶圓工廠(chǎng)技術(shù)解析報告,采用專(zhuān)業(yè)排版格式呈現:
上海維安半導體有限公司
成立時(shí)間:1996年
背景優(yōu)勢:依托上海材料研究所技術(shù)底蘊
核心定位:國內領(lǐng)先的MOSFET原廠(chǎng)
技術(shù)特色:超級結MOSFET散熱性能優(yōu)異(溫升降低30%)、通態(tài)阻抗行業(yè)領(lǐng)先(達國際一線(xiàn)品牌水平)
參數指標 | 技術(shù)優(yōu)勢 |
---|---|
通態(tài)阻抗 | SJ-MOS工藝使Rdson較VDMOS降低50%-70% |
節電容 | 結構優(yōu)化實(shí)現Coss下降40%以上 |
功率密度 | 晶圓面積利用率提升35%,封裝體積縮減20% |
新能源領(lǐng)域:650V等級產(chǎn)品適配充電樁模塊(WMJ120N60CM達16.5mΩ)
消費電子:進(jìn)入小米/VIVO供應鏈體系
工業(yè)電源:通信基站電源模塊核心器件
合作方矩陣:
日月光(ASE):先進(jìn)封裝技術(shù)(TSOP/QFN)
長(cháng)電科技:高密度互連封裝能力
華天科技:車(chē)規級封裝認證
技術(shù)要求:
微米級精度封裝(焊線(xiàn)直徑≤25μm)
熱管理設計(TO-247封裝熱阻<0.4℃/W)
產(chǎn)能保障:?jiǎn)涡吞栐庐a(chǎn)達50萬(wàn)顆(WMJ90N65SR)
代工伙伴:
華虹宏力:12英寸BCD工藝平臺
積塔半導體:6/8英寸功率器件專(zhuān)線(xiàn)
粵新半導體:特色工藝整合
工藝突破:
超結結構間距控制:≤0.35μm
多層外延技術(shù):實(shí)現JFET區精準摻雜
良率管理:量產(chǎn)良品率穩定在98.2%以上
客戶(hù)生態(tài)體系:
國際認證:三星獨家供應商(2016)
國產(chǎn)替代:茂碩/崧盛等頭部電源企業(yè)
新興市場(chǎng):新能源汽車(chē)充電樁出貨量年增200%
渠道網(wǎng)絡(luò ):
代理商矩陣:覆蓋30+重點(diǎn)城市
技術(shù)服務(wù):提供定制化驅動(dòng)方案設計
工藝升級:推進(jìn)900V超結MOS研發(fā)(目標Rdson<15mΩ)
封裝創(chuàng )新:開(kāi)發(fā)DFN5×6超薄封裝(厚度≤1.2mm)
材料突破:碳化硅基超結結構驗證(已進(jìn)入工程樣品階段)
本報告通過(guò)技術(shù)參數對比、供應鏈解析及市場(chǎng)數據支撐,系統呈現維安半導體在功率器件領(lǐng)域的技術(shù)競爭力。如需特定環(huán)節的深化分析或競品對標研究,可提供擴展數據支持。