第一電路設計。讓
mos管工作在線(xiàn)性工作狀態(tài)，而不是開(kāi)關(guān)狀態(tài)。如果用N-mos做開(kāi)關(guān)，G電平電壓要比電源高幾V才能完全導通，P-mos則相反。不完全打開(kāi)導致壓降過(guò)大導致功耗，等效DC阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就是發(fā)熱。
第二，工作頻率。這是調試過(guò)程中常見(jiàn)的現象，降頻主要是兩個(gè)方面造成的。輸入電壓與負載電壓之比小，系統干擾大。對于前者，請注意不要將負載電壓設置得太高，盡管負載電壓高時(shí)效率會(huì )更高。對于后者，可以嘗試以下幾個(gè)方面:
1.將最小電流設置為較小的值。
2.清潔布線(xiàn)，尤其是關(guān)鍵的傳感路徑。
3.選擇電感的小點(diǎn)或閉合磁路的電感。
4.加RC低通濾波器，這個(gè)效果有點(diǎn)差，C的一致性也不好，偏差有點(diǎn)大，不過(guò)應該夠照明了。無(wú)論如何，降頻沒(méi)有好處，只有壞處，所以必須解決。
有時(shí)候mos管的頻率太高，主要是對體積的過(guò)分追求，導致頻率增加，mos管上的損耗增加，所以發(fā)熱也增加。
第三，散熱設計。電路板散熱設計不好，電流過(guò)大。mos管的標稱(chēng)電流值一般需要散熱好。因此，如果ID小于額定電流，則熱量可能?chē)乐?，需要足夠的輔助散熱器。
那么今天的講解就先到這里了，以上就是今天的全部?jì)热?，相信大家對mos管發(fā)熱異常的原因也有了一定的認識。非常感謝您的耐心閱讀。如還想了解更多關(guān)于
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