新品介紹
TOLL封裝SiC MOSFET
隨著(zhù)新能源市場(chǎng)進(jìn)入高速發(fā)展期，功率器件也需要提供更高的效能，功率分立器件的封裝技術(shù)也需持續進(jìn)步。
隨著(zhù)下游市場(chǎng)的多樣化需求增長(cháng)，功率分立器件封裝產(chǎn)品也逐漸向定制化和專(zhuān)業(yè)化方向發(fā)展，揚杰科技推出了一系列TOLL封裝SiCMOSFET產(chǎn)品,非常適合大功率、大電流、高可靠性等應用場(chǎng)景的需求。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
1.耐高溫特性，工作溫度（175°C)，出色的散熱性能，有著(zhù)優(yōu)異的溫升表現，提高了產(chǎn)品的可靠性;
2.低的封裝電阻，低的寄生電感，出色的EMI表現；并且有著(zhù)KS源極，開(kāi)關(guān)速度快，損耗低，適用于高壓，高頻的應用條件；
3.與TO-263封裝相比，TOLL封裝的PCB占板面積減少了30%，高度減低了50%，電路板空間減少 60%，更適合高功率密度應用場(chǎng)合。
電性參數：
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TOLL封裝SiC MOSFET
隨著(zhù)新能源市場(chǎng)進(jìn)入高速發(fā)展期，功率器件也需要提供更高的效能，功率分立器件的封裝技術(shù)也需持續進(jìn)步。
隨著(zhù)下游市場(chǎng)的多樣化需求增長(cháng)，功率分立器件封裝產(chǎn)品也逐漸向定制化和專(zhuān)業(yè)化方向發(fā)展，揚杰科技推出了一系列TOLL封裝SiCMOSFET產(chǎn)品,非常適合大功率、大電流、高可靠性等應用場(chǎng)景的需求。
產(chǎn)品特點(diǎn)：
1.耐高溫特性，工作溫度（175°C)，出色的散熱性能，有著(zhù)優(yōu)異的溫升表現，提高了產(chǎn)品的可靠性;
2.低的封裝電阻，低的寄生電感，出色的EMI表現；并且有著(zhù)KS源極，開(kāi)關(guān)速度快，損耗低，適用于高壓，高頻的應用條件；
3.與TO-263封裝相比，TOLL封裝的PCB占板面積減少了30%，高度減低了50%，電路板空間減少 60%，更適合高功率密度應用場(chǎng)合。
電性參數：
Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
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經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品：碳化硅器件、IGBT單管、IGBT模塊、肖特基/整流橋堆、低壓MOS、超結MOS管
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