產(chǎn)品介紹揚杰科技推出一系列TO-247和TOLL N600V/650V SJ MOSFET，產(chǎn)品采用深溝槽技術(shù)與多層外延技術(shù)制造，具有較低的導通電阻Rds和柵極電荷Qg，明顯降低導通和開(kāi)關(guān)損耗，可以支持更高頻率與動(dòng)態(tài)響應,非常適合應用于高功率密度和高效率電力電子變換系統。產(chǎn)品特點(diǎn)
1.采用深溝槽與多層外延技術(shù), MOS的內阻低，開(kāi)關(guān)特性?xún)?yōu)；
2.采用TOLL封裝、TO-247封裝，適用于大功率應用；
3.UIS能力強, Qg與Rds參數更優(yōu)，可以支持更高頻率與動(dòng)態(tài)響應
型號
YJN48C60HJ JYJT33C60HJ
產(chǎn)品介紹揚杰科技推出一系列TO-247和TOLL N600V/650V SJ MOSFET，產(chǎn)品采用深溝槽技術(shù)與多層外延技術(shù)制造，具有較低的導通電阻Rds和柵極電荷Qg，明顯降低導通和開(kāi)關(guān)損耗，可以支持更高頻率與動(dòng)態(tài)響應,非常適合應用于高功率密度和高效率電力電子變換系統。產(chǎn)品特點(diǎn)
1.采用深溝槽與多層外延技術(shù), MOS的內阻低，開(kāi)關(guān)特性?xún)?yōu)；
2.采用TOLL封裝、TO-247封裝，適用于大功率應用；
3.UIS能力強, Qg與Rds參數更優(yōu)，可以支持更高頻率與動(dòng)態(tài)響應
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